DRAM,SRAM,SDRAM之類(lèi)的區(qū)別
SRAM、SDRAM都用于程序工作時(shí)保存臨時(shí)數(shù)據(jù)和程序，因?yàn)樵谙到y(tǒng)調(diào)電后，保存在其中的數(shù)據(jù)都會(huì)丟失。
FLASH用于系統(tǒng)中保存長(zhǎng)期的數(shù)據(jù)，如：配置信息，程序等。
由于SRAM接口電路簡(jiǎn)單，在小系統(tǒng)中常用，SDRAM的接口相對(duì)復(fù)雜，需要相應(yīng)的控制器支持，但由于容量大、價(jià)格便宜、訪(fǎng)問(wèn)速度快，所以常用在對(duì)內(nèi)存容量和處理速度要求高的應(yīng)用場(chǎng)合，在這種場(chǎng)合中，相應(yīng)的處理器（CPU）都自帶有SDRAM控制器。
DRAM是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM)的縮寫(xiě)SDRAM是英文SynchronousDRAM的縮寫(xiě)，譯成中文就是同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的意思。從技術(shù)角度上講，同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(SDRAM)是在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器中加入同步控制邏輯(一個(gè)狀態(tài)機(jī))，利用一個(gè)單一的系統(tǒng)時(shí)鐘同步所有的地址數(shù)據(jù)和控制信號(hào)。使用SDRAM不但能提高系統(tǒng)表現(xiàn)，還能簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、提供高速的數(shù)據(jù)傳輸。在功能上，它類(lèi)似常規(guī)的DRAM，且也需時(shí)鐘進(jìn)行刷新。可以說(shuō)，SDRAM是一種改善了結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns
什么是DRAM?
DRAM（Dynamic RAM）: 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
什么是SDRAM?
SDRAM（Synchronous DRAM）: 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。目前的168線(xiàn)64bit帶寬內(nèi)存基本上都采用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達(dá)7.5ns，而EDO內(nèi)存最快為15ns。并將RAM與CPU以相同時(shí)鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時(shí)間。所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。
什么是DDR SDRAM?
DDR（Double Data Rate）SDRAM。其核心建立在SDRAM的基礎(chǔ)上，但在速度上有了提高。SDRAM僅在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿讀取數(shù)據(jù)，而DDR在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿都讀取數(shù)據(jù)，因此，它的速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的2倍。
什么是RDRAM?
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www.gzkowo.comRDRAM（Rambus DRAM）：總線(xiàn)式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，是由RAMBUS公司與INTEL公司合作提出的一項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)，它的數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)800MHZ，而它的總線(xiàn)寬度卻僅為16bit，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)在的SDRAM的64bit。
什么是SPD?
SPD(Serial Presence Detect): SPD是一顆8針的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 電可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器）, 容量為256字節(jié)，里面主要保存了該內(nèi)存的相關(guān)資料，如容量、芯片廠商、內(nèi)存模組廠商、工作速度等。SPD的內(nèi)容一般由內(nèi)存模組制造商寫(xiě)入。支持SPD的主板在啟動(dòng)時(shí)自動(dòng)檢測(cè)SPD中的資料，并以此設(shè)定內(nèi)存的工作參數(shù)。
什么是SRAM
SRAM 的英文全稱(chēng)是"Static RAM"，翻譯成中文就是"靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。SRAM主要用于制造Cache
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什么是Cache
Cache 的英文原意是"儲(chǔ)藏"，它一般使用SRAM制造，它與CPU之間交換數(shù)據(jù)的速度高于DRAM，所以被稱(chēng)作"高速緩沖存儲(chǔ)器"，簡(jiǎn)稱(chēng)為"高速緩存"。由于CPU的信息處理速度常常超過(guò)其它部件的信息傳遞速度，所以使用一般的DRAM來(lái)作為信息存儲(chǔ)器常常使CPU處于等待狀態(tài)，造成資源的浪費(fèi)。Cache就是為了解決這個(gè)問(wèn)題而誕生的。在操作系統(tǒng)啟動(dòng)以后，CPU就把DRAM中經(jīng)常被調(diào)用的一些系統(tǒng)信息暫時(shí)儲(chǔ)存在Cache里面，以后當(dāng)CPU需要調(diào)用這些信息時(shí)，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接從Cache里讀取，這樣利用Cache的高速性能就可以節(jié)省很多時(shí)間。大多數(shù)CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被稱(chēng)作"一級(jí)緩存"或"內(nèi)置Cache"。這部分存儲(chǔ)器與CPU的信息交換速度是最快的，但容量較小。大多數(shù)主板上也集成了Cache，一般被稱(chēng)作"二級(jí)緩存"或"外置Cache"，比內(nèi)置Cache容量大些，一般可達(dá)到256K，現(xiàn)在有的主板已經(jīng)使用了512K～2M的高速緩存。在最新的Pentium二代CPU內(nèi)部，已經(jīng)集成了一級(jí)緩存和二級(jí)緩存，那時(shí)主板上的Cache就只能叫作"三級(jí)緩存"了。
RAM和ROM和Flash ROM的區(qū)別
RAM（Random Access Memory）的全名為隨機(jī)存取記憶體，它相當(dāng)于PC機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ)，用來(lái)存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)的。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě)，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)（可稱(chēng)作系統(tǒng)內(nèi)存）。
不過(guò)，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù)，如果需要保存數(shù)據(jù)，就必須把它們寫(xiě)入到一個(gè)長(zhǎng)期的存儲(chǔ)器中（例如硬盤(pán)）。正因?yàn)槿绱�，有時(shí)也將RAM稱(chēng)作“可變存儲(chǔ)器”。RAM內(nèi)存可以進(jìn)一步分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)內(nèi)存（DRAM）兩大類(lèi)。DRAM由于具有較低的單位容量?jī)r(jià)格，所以被大量的采用作為系統(tǒng)的主記憶。
ROM（Read Only Memory）的全名為唯讀記憶體，它相當(dāng)于PC機(jī)上的硬盤(pán)，用來(lái)存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)。ROM數(shù)據(jù)不能隨意更新，但是在任何時(shí)候都可以讀取。即使是斷電，ROM也能夠保留數(shù)據(jù)。但是資料一但寫(xiě)入后只能用特殊方法或根本無(wú)法更改，因此ROM常在嵌入式系統(tǒng)中擔(dān)任存放作業(yè)系統(tǒng)的用途。現(xiàn)在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。
RAM和ROM相比，兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失，而ROM就不會(huì)。
由于ROM不易更改的特性讓更新資料變得相當(dāng)麻煩，因此就有了Flash Memory的發(fā)展 ，F(xiàn)lash Memory具有ROM不需電力維持資料的好處，又可以在需要的時(shí)候任意更改資料，不過(guò)單價(jià)也比普通的ROM要高。
閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫(xiě)而不是整個(gè)芯片擦寫(xiě)，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）一樣以字節(jié)為單位改寫(xiě)數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。
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